行業(yè)對待玻璃基板的態(tài)度已經(jīng)發(fā)生了180度大轉(zhuǎn)彎。
去年年中，媒體還在報道英特爾放棄玻璃基板技術(shù)的流言，市場還在爭吵玻璃基板的商業(yè)化前景。
Absolics、LG Innotek等公司還在產(chǎn)線上試水，大部分生態(tài)鏈上的玩家處在觀望狀態(tài)。
然而僅僅過了半年，“2026量產(chǎn)玻璃基板”的目標便開始出現(xiàn)在廠商的路線圖中，研究機構(gòu)也給出了引人遐想的市場增長預測。
玻璃基板技術(shù)的背景是，隨著生成式人工智能訓練模型向萬億參數(shù)規(guī)模演進，算力基礎(chǔ)設(shè)施的物理性能正面臨嚴峻瓶頸。在摩爾定律放緩的背景下，先進封裝技術(shù)已不再是單純的芯片組裝，而是提升半導體系統(tǒng)性能的關(guān)鍵路徑。
當前，傳統(tǒng)的有機基板在散熱效率、大尺寸加工穩(wěn)定性及互連密度方面已逐漸逼近物理極限。相比之下，玻璃基板在平整度、熱穩(wěn)定性、絕緣性能及互連密度方面具備顯著的物理優(yōu)勢。
今天的玻璃基板發(fā)展到了哪一步？這項技術(shù)會成為2026年半導體產(chǎn)業(yè)的一匹黑馬嗎？
讓我們先從行業(yè)報告開始看。
01市場規(guī)模與趨勢預測
根據(jù)多家權(quán)威市場分析機構(gòu)在2025年末發(fā)布的數(shù)據(jù)，玻璃基板行業(yè)正經(jīng)歷從技術(shù)驗證向早期量產(chǎn)的關(guān)鍵轉(zhuǎn)折。
市場普遍預測，2026年是玻璃基板進入小批量商業(yè)化出貨的節(jié)點，而2028年至2030年將進入快速增長期。Yole Group于2025年11月發(fā)布的行業(yè)報告指出，2025年至2030年期間，半導體玻璃晶圓出貨量的復合年增長率將超過10%。
值得注意的是，在存儲（HBM）與邏輯芯片封裝這一特定細分領(lǐng)域，玻璃材料需求的復合年增長率預計高達33%。這一數(shù)據(jù)直接反映出高性能計算領(lǐng)域?qū)Ω呙芏然ミB技術(shù)的迫切需求，這種需求并非來自存量市場的替代，而是增量市場的爆發(fā)。
從價值分布來看，MarketsandMarkets在2025年10月的報告數(shù)據(jù)顯示，全球半導體玻璃基板市場規(guī)模預計將從2023年的71億美元增長至2028年的84億美元。
盡管整體規(guī)模的絕對值增長看似平穩(wěn)，但增量結(jié)構(gòu)發(fā)生了根本性變化。新增價值主要集中在高端倒裝球柵陣列（FC-BGA）和先進封裝領(lǐng)域。這意味著單位產(chǎn)品的價值量顯著提升，玻璃基板將不再是廉價的載體，而是主要承載高價值A(chǔ)I加速器和服務(wù)器芯片的核心組件。
在應(yīng)用場景方面，首批商業(yè)化應(yīng)用將高度集中在超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心。針對NVIDIA、AMD、AWS等頭部客戶的頂級AI訓練芯片，其對成本敏感度較低，而對算力密度和能效比的要求極高。
行業(yè)預測，隨著Absolics等頭部廠商產(chǎn)能釋放，預計到2030年，玻璃基板將逐漸在高端HPC市場替代有機基板，成為萬億晶體管集成的標準配置。
02全球產(chǎn)業(yè)競爭格局
面對技術(shù)迭代的窗口期，全球半導體產(chǎn)業(yè)鏈在2025年第四季度加快了產(chǎn)能布局。韓國、日本、美國及中國的主要企業(yè)均更新了量產(chǎn)時間表，形成了不同技術(shù)路線與商業(yè)模式的競爭格局。
韓國
韓國半導體產(chǎn)業(yè)采取了極為激進的垂直整合策略，試圖通過財團內(nèi)部協(xié)作，在2026年的窗口期建立壁壘。SKC旗下的Absolics在美國佐治亞州Covington的玻璃基板工廠已經(jīng)完成主要設(shè)備導入，并開始向包括AMD在內(nèi)的客戶提供量產(chǎn)級樣品，進入認證階段。市場消息稱，該公司計劃自2025–2026年起逐步導入量產(chǎn)，先以有限產(chǎn)能跑通良率與客戶認證，以搶占玻璃基板商業(yè)化的先發(fā)優(yōu)勢。
與SKC的單點突破不同，三星集團展示了強大的供應(yīng)鏈整合能力。2025年11月，三星電機（SEMCO）與日本住友化學成立合資公司，專門生產(chǎn)核心的玻璃芯材料，從源頭保障供應(yīng)。同時，三星電機在世宗工廠的試點產(chǎn)線已投入運行。下游方面，三星電子正積極測試將玻璃基板應(yīng)用于下一代HBM4內(nèi)存的封裝，試圖通過玻璃中介層優(yōu)化散熱性能。
LG Innotek則采取了差異化路線。公司在2025年12月將玻璃基板工作組升級為獨立事業(yè)部，并宣布在龜尾工廠建設(shè)中試線。其研發(fā)重點并未局限于電互連，而是攻克光學與電學混合傳輸技術(shù)，旨在切入未來的光電共封裝（CPO）市場。此外，韓國設(shè)備廠商也緊密協(xié)作，加速構(gòu)建本土生態(tài)鏈。Philoptics已向頭部客戶交付了用于大板玻璃切割的核心激光設(shè)備；韓華精密機械則利用其在顯示與半導體領(lǐng)域的雙重積累，優(yōu)化了封裝設(shè)備以應(yīng)對玻璃基板的易碎搬運挑戰(zhàn)。
日本
日本企業(yè)利用在材料科學和顯示面板設(shè)備領(lǐng)域的積累，推行大板級封裝的差異化競爭策略。Rapidus在2025年12月的北海道工廠擴建計劃中，列入了獨立的先進封裝產(chǎn)線。其策略是直接采用600mm×600mm的矩形玻璃面板進行封裝。該路線旨在利用日本在光刻機和面板制造方面的積淀，通過增加單次曝光面積降低單位成本。Rapidus已與IBM及DNP達成深度合作，計劃2028年投入量產(chǎn)。
在材料廠商方面，DNP在埼玉縣久喜工廠新建TGV玻璃基板試驗產(chǎn)線，進行量產(chǎn)驗證，計劃2026年初供應(yīng)樣品，目標2028年實現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)。與此同時，材料巨頭Resonac正加速研發(fā)適配玻璃基板的下一代封裝材料，重點攻克玻璃材質(zhì)在異構(gòu)集成中的界面結(jié)合與應(yīng)力控制難題，以確立其在材料端的優(yōu)勢地位。
美國與中國
英特爾去年9月向媒體證實，金沙電玩城將按原計劃推進其半導體玻璃基板的商業(yè)化方案，駁斥了因運營挑戰(zhàn)可能退出該業(yè)務(wù)的報道。該公司重申，其開發(fā)作為下一代半導體制造關(guān)鍵技術(shù)的玻璃基板的承諾并未改變。英特爾半導體玻璃基板開發(fā)項目仍與2023年制定的技術(shù)路線圖保持一致，其時間表或目標均無任何變更。
在IMAPS 2025展會上，英特爾再次強調(diào)，玻璃基板解決了先進封裝的關(guān)鍵微縮挑戰(zhàn)，可實現(xiàn)更精細特征微縮、更大封裝尺寸與增強型高速I/O性能，堅定了行業(yè)對其技術(shù)儲備的信心。按照規(guī)劃，英特爾玻璃基板產(chǎn)品預計在2026-2030年間實現(xiàn)大規(guī)模應(yīng)用。
臺積電正加速開發(fā)基于玻璃的面板級扇出型封裝（FOPLP）。消息顯示，臺積電計劃在2026年建立迷你產(chǎn)線，初期采用300mm規(guī)格，后續(xù)過渡至大板工藝。臺積電正與康寧臺灣工廠緊密合作，共同開發(fā)適合CoWoS工藝的特種玻璃載具，以確保其先進封裝生態(tài)的延續(xù)性。
京東方在2025年12月的發(fā)布會上，將半導體玻璃基板確立為核心戰(zhàn)略，計劃利用面板產(chǎn)線的折舊優(yōu)勢和玻璃加工能力，于2027年實現(xiàn)高深寬比產(chǎn)品量產(chǎn)。沃格光電旗下通格微在2025年下半年實現(xiàn)了向海外客戶的小批量出貨，主要應(yīng)用于微流控和射頻領(lǐng)域。設(shè)備方面，大族激光等廠商已開始交付國產(chǎn)化的TGV激光鉆孔設(shè)備，逐步打破海外壟斷。
封測與制造企業(yè)也正加速轉(zhuǎn)化技術(shù)儲備。通富微電已具備TGV封裝能力，預計2026-2027年實現(xiàn)產(chǎn)品應(yīng)用；晶方科技依托自主玻璃基板技術(shù)，在Fan-out工藝上已積累多年量產(chǎn)經(jīng)驗；長電科技與華天科技均表示已開展研發(fā)布局。
在細分賽道，奕成科技于2024年率先量產(chǎn)FOMCM平臺，填補了國內(nèi)玻璃面板級封裝空白；芯德半導體與安捷利美維則分別在2.5D玻璃轉(zhuǎn)接板及高層數(shù)（8+2+8）TGV解決方案上取得關(guān)鍵突破。
03技術(shù)與產(chǎn)業(yè)鏈面臨的挑戰(zhàn)
玻璃基板的商業(yè)化，離不開技術(shù)上的突破。
目前，玻璃基板制造的關(guān)鍵路徑已較為清晰。在核心的垂直互連環(huán)節(jié)，激光誘導深度蝕刻（LIDE）技術(shù)的引入是一個里程碑。該工藝通過改性與濕法刻蝕的組合，有效規(guī)避了傳統(tǒng)機械鉆孔的微裂紋問題。得益于此，行業(yè)已能制備高深寬比的TGV，為提升互連密度奠定了物理基礎(chǔ)。同時，利用玻璃表面極高的納米級平整度，最新的光刻工藝已能實現(xiàn)線寬/線距小于2μm的重分布層，顯著拓寬了芯片間的數(shù)據(jù)傳輸帶寬 。
此外，通過精準調(diào)控玻璃配方，熱膨脹系數(shù)被成功鎖定在3-5ppm/℃，在510mm×515mm的大尺寸封裝實驗中，玻璃基板的翹曲量較有機基板減少了50%以上，解決了超大尺寸芯片集成的可靠性難題。
然而，盡管物理參數(shù)優(yōu)異，但要將技術(shù)轉(zhuǎn)化為具備經(jīng)濟效益的量產(chǎn)良率，仍需跨越幾道現(xiàn)實障礙。首先是效率與填充質(zhì)量的矛盾。當前主流激光鉆孔技術(shù)的吞吐量尚未完全匹配大規(guī)模生產(chǎn)需求，且在高深寬比（>15:1）通孔的金屬化過程中，銅填充容易出現(xiàn)微小空洞，這在高電流密度下可能引發(fā)電遷移風險。
其次是鍵合可靠性問題。雖然玻璃與芯片的熱匹配良好，但玻璃與金屬互連層的熱膨脹系數(shù)差異，在回流焊等高溫工藝中仍可能引發(fā)界面應(yīng)力集中，導致焊點失效。此外，玻璃天然的脆性使得其在大板級加工和高速傳送中極易破損，這對產(chǎn)線的自動化搬運與治具設(shè)計提出了極高要求。
在技術(shù)難點之外，產(chǎn)業(yè)鏈也還需要跨越供應(yīng)鏈集中度高以及行業(yè)標準缺失等問題。
高純度電子級玻璃市場呈現(xiàn)出極高的寡頭特征，康寧、肖特、AGC三家巨頭牢牢掌握了全球90%以上的Low-CTE玻璃配方及熔煉技術(shù)。考慮到玻璃熔煉爐的建設(shè)周期長達12至18個月，若2026年下游需求爆發(fā)性增長，上游產(chǎn)能極易出現(xiàn)結(jié)構(gòu)性缺口。這種高度壟斷也意味著封裝廠在初期的原材料采購中將處于弱勢地位，議價能力的缺失將考驗各家的成本控制水平。
此外，玻璃的易碎性是量產(chǎn)線上最大的隱性挑戰(zhàn)，在大尺寸加工及高速傳送環(huán)節(jié)，現(xiàn)有的有機基板產(chǎn)線無法直接復用，封裝廠必須投入重金重建搬運與治具系統(tǒng)。更為棘手的是行業(yè)標準的缺位，面板尺寸的不統(tǒng)一、TGV孔徑規(guī)范的各自為戰(zhàn)以及EDA工具適配的滯后，共同構(gòu)成了生態(tài)割裂的現(xiàn)狀，推高了產(chǎn)業(yè)鏈的協(xié)作成本與驗證門檻。
04結(jié)語
綜上所述，2026年是半導體玻璃基板產(chǎn)業(yè)從技術(shù)開發(fā)向規(guī)模化量產(chǎn)過渡的關(guān)鍵年份。在AI算力需求的驅(qū)動下，韓國、日本、美國及中國大陸的企業(yè)均加大了投入，全球產(chǎn)業(yè)鏈正以前所未有的速度運轉(zhuǎn)。
雖然在原材料供應(yīng)、設(shè)備配套及良率控制方面仍存在挑戰(zhàn)，但隨著技術(shù)工藝的成熟和產(chǎn)能的釋放，預計玻璃基板將在高端半導體封裝領(lǐng)域逐步確立其地位。在可以預見的未來，玻璃或?qū)⒊蔀楹竽枙r代算力基礎(chǔ)設(shè)施的基石。
備案號: