金沙電玩城 新型半導體材料領域取得重要進展
發布日期:2026-01-25 04:59 點擊次數:116

本報合肥電 (記者李俊杰)記者從中國科學技術大學獲悉:該校張樹辰特任教授團隊聯合中外學者,在新型半導體材料領域取得重要進展。團隊首次在二維離子型軟晶格材料中,實現了面內可編程、原子級平整的“馬賽克”式異質結的可控構筑,為未來高性能發光和集成器件的研發開辟了新路徑。相關成果近日在線發表于國際學術期刊《自然》。
在半導體領域,能夠在材料平面內橫向精準構建異質結構,是探索新奇物性、研發新型器件及推動器件微型化的關鍵。然而,以二維鹵化物鈣鈦礦為代表的離子型軟晶格半導體,金沙電玩城app其晶體結構柔軟且不穩定,傳統光刻加工等技術往往因反應過于劇烈而破壞材料結構,難以實現高質量的橫向異質集成。如何在此類材料中實現高質量、可控外延的橫向異質結精密加工,是該領域面臨的難題。
面對這一挑戰,中國科大研究團隊創新性地提出并發展了一種引導晶體內應力“自刻蝕”方法,將不同種類的半導體材料精準回填,最終在單一晶片內部構筑出晶格連續、界面原子級平整的高質量“馬賽克”異質結。
《 》( 2026年01月24日 06 版)

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